スパッタリングターゲットは、エレクトロニクス、耐食材料・装飾、触媒、切削・研削装置、金属・セラミックス材料の被覆膜形成用耐摩耗材料など、多くの分野で使用されています。
スパッタリング法自体は上記の分野で既に広く認知されている方法ですが、近年、特にエレクトロニクス分野では、複雑な形状の被覆膜形成やループ形成に適したタンタルスパッタリングターゲットが求められています。
一般的に、タンタルターゲットとは、タンタル原料を電子ビーム溶解・鋳造により成形したブランクやビレットを、熱間鍛造と焼鈍（熱処理）を繰り返し、その後、圧延加工を施し、最終的に（機械加工、研削、溶融鋳造法とは、溶融亜鉛めっき鋼板（ビレット）を熱間鍛造し、鋳造組織を破壊して気孔や偏析を拡散・消滅させ、熱処理によって再結晶させることで、組織の緻密化と強度向上を図り、製造する工程です。
一般に、溶融鋳造されたビレットは、結晶粒径が50mm以上です。さらに、ビレットや鋼片を熱間鍛造および再結晶焼鈍処理することで、鋳造組織が破壊され、ほぼ均一で微細な（100μm以下）結晶粒子が得られる。
一方、このように製造されたターゲットを用いてスパッタリングを行うと、ターゲットの再結晶組織がより微細かつ均一になり、結晶配向と同一方向に均一な成膜が可能となり、アークやパーティクルの発生が少なく、安定した特性の膜が得られると一般的に考えられている。
従来の同一結晶配向のターゲットと比較して、成膜速度が向上し、膜の均一性が良好で、アークやパーティクルの発生も少なく、優れた成膜特性を有するタンタルスパッタリングターゲットが得られる。上記問題を解決するために、ターゲットの構造を改良する。結晶配向を不規則にすることで、より優れた成膜特性を有するタンタルスパッタリングターゲットが得られる。従来のターゲット（結晶配向がターゲット表面と一致するもの）と比較して、優れた結果が得られました。成膜速度が速く、膜の均一性が良好で、アークやパーティクルの発生がなく、良好な成膜特性と良好なターゲット利用率を備えたタンタルスパッタリングターゲットを作製できます。
