タンタルターゲット

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製品詳細

タンタルターゲット製造技術

  • A) タンタル粉末は静圧成形によりタンタルビレットに加工されます。

  • B) タンタルビレットは焼結され、その後圧延されます。タンタルターゲットは熱処理によって形成されます。ターゲットは粉末冶金法によって得られます。高純度、小粒径、均一な再結晶構造などの利点があります。加圧処理と熱処理のプロセスを経て、ハイエンドのスパッタリングマシンで使用されるタンタルターゲットの要件を満たす粉末が形成されます。

製品名: タンタルターゲット、タンタルスパッタリングターゲット
材質: タンタル

  • 形状1: モノリシック回転式スパッタリングターゲット
    寸法: 外径(mm) 50-300、内径(mm) 30-280、長さ(mm) 100-4000

  • 形状3: 円形ターゲット
    寸法: 直径25mm～400mm×厚さ3mm～28mm
    純度: 99.9%、99.95%、99.99%、または 99.995%

  • 形状2: 長方形のターゲット
    寸法: 厚さ1mm～12.7mm x 幅600mm～600mm x 長さ2000mmまで

タンタルスパッタリングターゲットのグレード、特性および用途
製品 特徴と応用
Ta3N5 高純度、電子産業の光ファイバーのスパッタリング蒸着コーティングとして使用される
Ta4N 高純度、半導体チップのスパッタリング蒸着コーティングとして使用される
Ta4N5 高純度、電子産業の集積回路のスパッタリング蒸着コーティングとして使用される
タンタル放電ターゲットの仕様と許容範囲
製品 厚さ/mm 許容範囲/mm 直径/mm 許容範囲/mm 平坦性/mm·mm-1 粗さ (Ra) /μm
Ta3N5 6.35 + 0.254 / - 0 152.4 + 0.254 / -0.0 0.254 0.8
6.35 + 0.254 / - 0.254 304.8 + 0.254 / - 0.254 0.381 0.8
11.47 + 0.51 / - 0.0 298.45 + 0.51 / - 0.0 0.381 0.8
12.7 + 1.27 / - 0.0 654.05 + 1.27 / - 0.0 0.508 0.8
Ta4N 7.62 + 0.762 / - 0.0 322.58 + 1.02 / - 0.0 0.381 0.8
10.16 + 0.076 / - 0.076 781.05 + 0.076 / - 0.076 0.762 0.8
Ta4N5 7.88 + 0.762 / - 0.0 494.03 + 1.02 / - 0.0 0.381 0.8
お客様のご要望に応じて製品を生産します。 

タンタルターゲットの用途

タンタルターゲット材料は、主に光ファイバー、半導体ウェーハ、スパッタリング蒸着コーティングの集積回路に使用されます。また、カソードスパッタリングコーティング、高真空吸引活性材料などにも使用できます。タンタルターゲットは、薄膜技術の重要な材料です。このターゲットは、ジェットタービンディスクのブレードやブレードなどの高温合金に使用できます。当社は、ASTM B708​​に準拠したR05200、R05400、R05255、R05252、R05240ターゲットを製造しており、お客様の図面に従ってターゲットを作成することもできます。
タンタルターゲットの用途

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